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    • 发布时间:2022-11-23 15:40:25
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    10N50
    10N50 TO-220F参数封装:点击查看10N50
    10N50封装有TO-252/TO-220/TO-220F
    10N50场效应管参数如下:
    10N50
     
    极性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:500V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:10A
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃:5.7A
    Power Dissipation 功率损耗Pd:50W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V:Typ:0.65Ω Max 0.7Ω
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    10N50场效应管/TO-252封装尺寸:
    10N50
    10N50场效应管/TO-220封装尺寸:
    10N50
    10N50场效应管/TO-220F封装尺寸:
    10N50
     
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