您好!欢迎光临九游会体育平台品牌官网!

九游会体育平台

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二极管、三极管、MOS管、桥堆

全国服务热线:18923864027

  • 热门关键词:
  • 桥堆
  • 场效应管
  • 三极管
  • 二极管
  • 数字IC,静态功耗,动态功耗介绍
    • 发布时间:2022-12-03 16:11:51
    • 来源:
    • 阅读次数:
    数字IC,静态功耗,动态功耗介绍
    功耗源
    功耗的本质是能量耗散。由能量守恒定律可知,能量只能从一种形式转成另一种形式,能量的总量不变。芯片耗散的电能主要转化成热能。如果一颗芯片的功耗过大,容易导致工作时温度过高,造成功能失效,甚至晶体管失效。因此,减小芯片功耗是很重要的一个任务。静态功耗以及动态功耗是两个主要的功耗源。
    动态功耗
    动态功耗来源于:
    (1)当门翻转时,负载电容充电和放电,称为翻转功耗
    (2)pmos和nmos管的串并联结构都导通时的有短路电流,称为短路功耗。
    动态功耗是一个电路在active状态下的功耗,active是指电流的输入或相关的连线电压发生变化,但这一变化并不一定导致电路的输出发生变化,因此,动态功耗的有无与电路的输出是否变化无关。动态功耗也分为两种,分别是internal power和switching power。
    internal power包括晶体管寄生电容的充放电功耗和电路状态切换过程中PMOS和NMOS之间的短路电流功耗。对简单的库单元,internal power主要是短路功耗,对复杂的库单元,internal power主要是电容充放电功耗。
    switching power即翻转功耗,是电路的输出负载电容充放电的功耗。
    在PTPX的功耗仿真中,internal power也是工具查找工艺库中的功耗表格得到的。对switching power的计算,是基于电源电压,网表中反标的负载电容,及逻辑门的输出翻转情况。
    静态功耗
    静态功耗主要来源于:
    (1)流过截止晶体管的亚阈值泄漏电流(subthreshold leakage)
    (2)流过栅介质的泄漏电流(gate leakage)
    (3)源漏扩散区的p-n节泄漏电流(junction leakage)
    (4)在有比电路中的竞争电流
    静态功耗 动态功耗
    静态功耗也称为漏电功耗(leakage power),是指逻辑单元的输入和输出均不发生变化时(一般被称为inactive或static状态)的功耗。静态功耗又分为intrinsic leakage power和gate leakage power.
    intrinsic leakage power主要是由晶体管源极和漏极之间的亚阈值电流(晶体管在关断时实际并没有完全关闭,仍有电流),电流大小主要由晶体管阈值电压和温度决定(阈值电压越小,漏电流越大,温度越高,漏电流越大),因此,如果为了提高芯片工作频率而使用LVT(低阈值晶体管),会造成芯片静态功耗显著增大。
    intrinsic leakage power另一个来源是晶体管扩散区和衬底之间的电流,又称为反偏PN节电流,它的大小主要取决于晶体管状态和电源电压。
    gate leakage power是源极到栅极或栅极到漏极之间的漏电流,随着工艺节点的减小,这一电流对静态功耗的贡献已经越来越显著。这一电流主要取决于栅氧化层的厚度和电源电压,而对温度的敏感性较小。
    在PTPX的功耗仿真中,各单元的静态功耗是工具查找工艺库中的功耗表格得到的。
    〈九游会体育平台/XXW〉专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等,20年,工厂直销省20%,上万家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信,由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
     
    联系号码:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相关阅读